Non-Stoichiometry in Semiconductors

Non-Stoichiometry in Semiconductors

K.J. Bachmann, H.-L. Hwang and C. Schwab (Eds.)
0 / 0
0 comments
Bu kitabı ne kadar beğendiniz?
İndirilen dosyanın kalitesi nedir?
Kalitesini değerlendirmek için kitabı indirin
İndirilen dosyaların kalitesi nedir?
Kategoriler:
Engineering
Yıl:
1992
Yayımcı:
North-Holland
Dil:
english
Sayfalar:
307
ISBN 10:
0444893555
ISBN 13:
9780444893550
Dosya:
PDF, 43.12 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
english, 1992
Online Oku
  • pdf 43.12 MB Current page
  • Checking other formats...
    • 8 MB'tan büyük dosyaların dönüştürülmesine izin verinPremium
    'e dönüştürme devam ediyor
    dosyasına dönüştürme başarısız oldu

    Anahtar ifadeler

     
    temperature
    crystals
    figure
    stoichiometry
    gaas
    defects
    growth
    phys
    samples
    crystal
    sample
    grown
    method
    spectra
    layer
    annealing
    composition
    obtained
    el2
    density
    semiconductors
    absorption
    measurements
    shown
    concentrations
    doped
    materials
    shows
    carrier
    analysis
    levels
    electron
    optical
    acceptor
    lattice
    substrate
    related
    layers
    experimental
    films
    electrical
    observed
    stoichiometric
    intensity
    determined
    hwang
    annealed
    sulfur
    surface
    measured
    methods
    photoluminescence
    appl
    chemical
    dependence
    ratio
    δχ
    atoms
    range
    peak